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SiO2刻蚀哪家好?
对于高分子复合材料,常用的刻蚀方法包括化学刻蚀、离子束刻蚀、激光刻蚀等。其中,离子束刻蚀是一种比较常见的方法,可以实现高精度的刻蚀效果,同时还可以控制刻蚀深度和形状等因素。因此,离子束刻蚀可以被视为是对高分子复合材料刻蚀最好的方法之一。
含氟气体中,CF4是最常用的气体之一,与OH2搭配使用,适用于刻蚀二氧化硅、硅氮化物、硅(与O2搭配时,产生C/F,聚合物;与H2搭配时,产生C/F,聚合物)。SF6常与O2结合刻蚀硅,具有高效、高选择性和更好的PR(光刻胶)选择比。也可与CH2F2搭配使用,但对PR选择比不如CF4。
刻蚀时,选择对SiO2有较高选择比的气体,如CF4/CHF3用于氧化硅刻蚀,而CH2F2适合氮化硅刻蚀,以避免对SiO2层的破坏。欢迎加入半导体制造知识社区,共享丰富资料,快速提升个人能力。
:1和1000:1。使用si3n4和sio2等作为掩模,对硅的刻蚀有高的刻蚀选择比,分别为200:1和1000:1;2基片可选择性大,由于刻蚀完全是一个化学反应过程,由于残余气体都可以排出,所以基片尺寸可以减小。
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